化学机械抛光技术是迄今唯一可以提供整体平面化的表面精加工技术，己广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统等表面的平坦化川。随着加工工件的尺寸越来越大，且加工精度逐渐提高，化学机械抛光作为适合这一需求的技术，现己发展成为抛光过程中的必然选择。抛光液是化学机械抛光技术的关键之一，其性能直接影响着被抛光工件的表面质量。抛光液的主要成分有磨料粒子、腐蚀介质以及添加剂。口前，我国的半导体抛光液基本依赖进口，因此抛光液的制备技术在我国有着广阔的发展前景。

　　下面海德研磨与大家分享一下抛光液的组成及其作用

　　抛光液的主要成分有磨料粒子、腐蚀介质和助剂，它们的性能及配比直接影响到被抛光工件的表面质互匡。

　　一、抛光液中磨料的作用是将被抛光工件表层的凸起处去除，以提高工件表面的平整度。如，对半导体晶片一进行抛光时，借助于外力，磨料将晶片表面经过化学反应生成的钝化层去除，加工出所需的平整性。日前常用的磨料有二氧化硅胶体、氧化饰、氧化铝和纳米金刚石等。

　　二、抛光液中腐蚀介质主要有酸和碱。酸性抛光液常采用有机酸，可起到腐蚀作用，增加抛光过程的去除率，但其腐蚀性大，选择性差，对抛光设备要求高，常用于铜、钨、钦等金属材料的抛光。口前的酸性抛光液中主要采用两类不同的有机酸:一类是带有多功能团的氨基酸，另一类是从简单竣酸、轻基竣酸和它们二者的混合酸中挑选出来的。研究发现，相对于单独使用任一类有机酸的抛光液，使用两类有机酸混合的抛光液的去除率较大叫。此外，有研究表明，随着抛光液pH值的增大，化学抛光占次要地位，机械抛光占主导作用，导致被抛光工件表面的质量下降，需加入有机酸进行调节。碱性抛光液一般选用氧氧化钠、氧氧化钾、有机胺等碱性物质来调节抛光液的酸碱性。碱性抛光液的腐蚀性低，选择性高，常用于硅、氧化物、光阻材料等非金属材料的抛光。但是，碱性抛光液不容易找到氧化势能高的氧化剂，影响抛光效果川。

　　三、抛光液中助剂常用的有氧化剂、润滑剂、缓蚀剂、分散剂等。氧化剂能够在抛光工件表面形成氧化膜，有利于后续的机械抛光，从而提高抛光效率和表面平整度;润滑剂用于在抛光过程中降低磨料物质和抛光工件表面之间的摩擦;缓蚀剂以适当的浓度和形式存在于环境(介质)中时，能防止或减缓材料腐蚀，可单一使用，也可几种缓蚀剂复合使用;分散剂能够增加磨料粒子之问的斥力，防止磨料团聚，保证抛光液的稳定性，减少工件表面缺陷。助剂的选择非常重要。

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       文章关健字：抛光液

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